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Simulation of Semiconductor Processes and Devices 2007: SISPAD 2007
Springer-Verlag Wien
Mark R. Pinto (auth.)
,
Dr. Tibor Grasser
,
Dr. Siegfried Selberherr (eds.)
simulation
devices
gate
figure
semiconductor
device
processes
current
electron
selberherr
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stress
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grasser
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layer
silicon
oxide
thickness
scattering
mobility
simulations
parameters
temperature
technology
doping
structures
simulated
effective
parameter
carlo
calculated
electrons
phys
modeling
obtained
equation
Año:
2007
Idioma:
english
Archivo:
PDF, 32.56 MB
Sus etiquetas:
0
/
0
english, 2007
2
Zwischenfall auf Wannop V (German Edition)
Uksak E-Books
Jürgen ten Hoevel
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Año:
2020
Idioma:
german
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