Диффузия и точечные дефекты с полупроводниках
Болтакс Б.И.
Ленингр.: Изд-во «Наука», отд., Л., 1972, 384 с.Излагаются основы теории диффузии и дефектообразования в полупроводниках. Обобщен и систематизирован имеющийся в настоящее время экспериментальный материал по диффузии примесей и самодиффузии в элементарных полупроводниках и полупроводниковых соединениях. Рассматривается влияние структурных дефектов, внутренних электрических полей и облучения на диффузию, а также диффузия примесей со свободной поверхности полупроводников. Отдельные главы посвящены рассмотрению основ и результатов экспериментальных исследований растворимости примесей в полупроводниках и распаду пересыщенных твердых растворов.
Idioma:
russian
Archivo:
PDF, 9.51 MB
IPFS:
,
russian0
Litres
¿Quieres añadir una librería? Contáctanos a través de support@z-lib.do
Convierte archivos
Más resultados de búsqueda
Otros beneficios 
